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SI500 PPD
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主要应用于微电子、化合物半导体，光电子领域的 高密度薄膜 沉积 主要特点低温、高密度、低损伤、高质量、低应力， 高均匀性 可在 80°C-350°C 下制备 SiO2、SiOxNy.SixNy、SiC^ 和 a—Si 膜，具有很高的工艺稳定性和重复性 系统配置预真空室，突出特点采用平板三螺旋天线 PTSA 电感 耦合等离子体 ICP 源和背部有氨气冷却系 统的下电极，采 用前驱体 TEOS，实现高台阶覆盖的 氧化硅膜沉积，适用于最大 8 寸样片 |
