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SI500D
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广泛应用于光子晶体、激光器、功率器件、MEMS、化合物 半导体、光学及声表器件 高度灵活性和模块化设计，包括刻蚀 III-V 化合物、II-VI 化合 物、介质、石英、玻璃、金属、硅和硅化合物 配置预真空室，带有取放机械手，绝缘冷却和加热电极 （-30℃-250℃） 工艺特点：高速率、低损伤、高工艺一致性，且适合于高深 宽比结构 干涉式终点检测和刻蚀深度测量系统，可处理 8 寸晶圆片 |
